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芯元基在矩阵MicroLED车灯芯片方面取得突破
据介绍,得益于公司核心技术的优化和夯实,以及创新专利技术的应用,Micro LED车灯芯片亮度得到提升。其中化学剥离技术不仅能无损伤地将GaN像素点巨量转移到CMOS驱动芯片上,而且还能使像素点的出光面均匀地粗化出棱锥形微结构。
另外,金属空气桥连接专利技术也在此次产品中得以首次应用和展现,由于金属空气桥的连接,能够使得40μm的像素点之间被隔离独立开而又能电连接,从而能够产生出高对比度和高清晰度的效果,相比于激光剥离制作出的芯片,效果明显。
芯元基表示,数字化车大灯元年已开启,产业链上的各个厂家也都在开足马力进行研发,都力求能取得先发优势。作为产业链上最核心的一环,公司争取早日能将产品得到应用,提高车辆行驶安全性。
据介绍,数字化车大灯在多种应用场景中发挥作用,如车距提示;变道提示;窄路视宽辅助;弯道光毯照明;隧道场景;迎宾场景;天气、音乐投影;自动驾驶提示;车道安全指导;礼让行人提示等。
据悉,芯元基成立于2014年,是一家基于第三代半导体氮化镓(GaN)材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。
在Micro LED方面,芯元基取得不少突破:2022年全屏点亮5μm Micro LED芯片阵列;2023年实现0.39英寸单色Micro LED显示屏视频显示,实现Micro LED巨量转移技术突破,开发出了晶圆级印章巨量转移工艺,达到了转移芯片位置零偏差。